研发技术中心简介
研发技术中心成立于2022年，现占地面积约1000平方米,专注于为公司提供材料分析、品质检验、可靠性验证及失效分析等专业技术服务。

服务对象涉及新能源、汽车、光电及消费电源等行业。分别设立了环境可靠性实验室、电气性能检测实验室、材料分析实验室、微观结构分析实验室等多个检测与分析实验室，借助科学的检测分析方法、专业的工程技术人员和精良的仪器设备帮助公司解决在产品研发、生产、质量验证等环节遇到的各种与材料相关的工程、科学和技术问题。
研发技术中心架构
研发技术中心能力
物理性能测试
研发技术中心拥有先进的仪器设备对实验现象的观察、分析和对物理量的测量提供技术支持。
服务项目
外观检查、尺寸测量、推拉力测试、疲劳测试、弯曲测试、端子强度测试等。
电气性能测试
研发技术中心现有LCR测试仪、偏置电流源、智能安规测试仪、微电阻测试仪等先进的知名品牌仪器设备对实验前后的性能变化提供技术数据支撑。
服务项目
阻抗测量、电感测量、电容测量、偏置电感测量、绝缘电阻测量、泄露电流测量、接地电阻、交直流耐压、匝间耐压测试、静电放电测试等。
机械性能测试
产品在制造、运输、粗率装卸及使用过程中的复杂环境，鉴定产品是否有承受此环境的能力，用于发现早期故障，模拟实际工况考核和结构强度试验。
服务项目
高低频正弦振动测试、随机振动测试、机械冲击测试等。
气候环境测试
用于考核电工电子产品、元器件、材料等在高低温、恒定湿热、温度循环变化等条件下，成品或元器件的使用及储存适应性，是产品中应用最为广泛的人工加速模拟试验类型。
服务项目
高温、低温、高低温循环、快速温变、恒温恒湿、交变湿热、冷热冲击测试等。
元器件结构分析
研发技术中心拥有先进高倍率放大测试仪，主要用于测量各种涂镀层厚度，观察材料内部晶
体结构及进行电子元器件的剖面观察分析。
服务项目
观察元器件外观及部位的表面形状、尺寸、结构及裂缝缺陷等。
元器件结构分析
研发技术中心拥有进口品牌日本岩崎B-H分析仪。用于检测硅钢板、铁氧体、铁粉芯、非晶体材料等软磁性材料磁特性。
服务项目
最大磁通密度(Bm),剩余磁通密度(Br),最大磁场(Hm)矫顽磁力(Hc),角形比(Br/Bm),振幅比导磁率(ua),铁损(Pc、Pcv、Pcm)电流电压相位差(q),总磁通变化(2Φm)视在功率(VA),阻抗导磁率(uZ),复式本源导磁率(m'、m''),消耗因子(tanδ),电感(L),抵抗运动(R),阻抗(Z),品质系数(Q)